최대온도 200˚C
고전력 화합물 반도체 (GaN)의 성공적인 파운드리 기술을 개발하기 위해서는 필수인 고온 특성 평가를 위한 고온 시험기로 제작된 GaN 소자의 고온 DC 특성 측정 및 초기 불량 검출을 위해 사용
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